下个DRAM等级摇钱树？南韩强攻功率半导体 砸5,000亿韩元投入研发

南韩政府将依据「超创新经济计划」，为量产下一代功率半导体投入估计达5,000亿韩元（约3.29亿美元） 的研发资金，原因是把这类AI数据中心中不可或缺的半导体，视为是继DRAM内存业务的下一棵「摇钱树」。

科技网站Wccftech引述南韩媒体Sedaily报导，南韩投入研发功率半导体的整体资金规模最终可能扩大至 7,500亿韩元（约4.94亿美元）。南韩副总理兼企划财政部部长具润哲（Yun-Cheol Koo）已召开会议，讨论推动先进功率半导体商业化的发展路线图。

该计划目标是希望创建完整上下游产业链，包含材料、组件、模块与系统验证，并且缩短研发到量产的时间。

AI数据中心需要大量能源供应，非常需要稳定且高效率的电力传输，而功率半导体不仅能确保电力稳定供应，随着再生能源逐渐普及，它们也有助于维持电网稳定。此外，AI数据中心还能借由功率半导体实现优化的能源使用效率。

在国防、机器人及航空领域，功率半导体的应用也正逐步扩大。像碳化硅与氮化镓等先进材料制成的芯片，在耐高温、高电压及高频率环境下的表现，都优于传统半导体。分析师认为，功率半导体不仅是推动整体产业进一步成长的关键，也是提升上述产业竞争力的重要内核技术。

南韩显然担心，若无法提升国内在功率半导体领域的竞争力，未来对外国企业与其他国家的依赖可能成为重大弱点。基于这项疑虑，政府决定加速启动研发计划，并要求有功率半导体需求的企业直接参与开发阶段，以确保技术与产业链能够在国内置立并予以掌握。