三星发表新一代AI内存技术 超过400层堆栈提升保存密度

三星电子周二（4日）发表新一代AI内存技术，力图强化该公司在AI市场中的芯片制造领先地位。

三星电子选择在美国加州圣塔克拉拉举行的内存与保存技术的年度盛会FMS大会上，发表其V10 Bonding V-NAND（BV-NAND） 原型产品。该芯片采用超过400层堆栈，并导入全新的晶圆键合架构，以提升保存密度并提升表现。

随着AI工作负载已从大型语言模型（LLM）的训练，逐渐扩展至针对用户查找生成答案的推论阶段，高容量 NAND内存的需求持续增加。NAND闪存主要用于保存数据，例如智能手机等设备中的照片、影片及应用程序。

三星表示，其BV-NAND技术相较于前一代V9 NAND，可将内存密度提升约58%，同时改善读取、写入及输入／输出性能，以满足AI系统对更大容量、且更具能源效率保存方案日益成长的需求。

三星同时展示了他们号称业界首创的zHBM与zNAND-O架构概念模型，展示其下一代3D内存的发展蓝图。这项技术通过垂直堆栈内存保存单元，在相同空间内容纳更多数据。

有别于传统高带宽内存（HBM）是配置在AI处理器旁边，三星的zHBM则是将内存垂直堆栈于AI加速器上方，缩短数据传输距离，进而提高带宽，同时改善能源效率。

三星表示，其晶圆键合技术有望让内存密度达到传统HBM5的10倍以上，能源效率提升三倍，并将热阻降低超过一半。

尽管部分投资人担心，一旦中国智能手机需求转弱，内存的长期需求可能受到影响，但分析师认为，AI市场需求依然异常强劲。

三星上周公布，未来与客户签订的长期供货协议，最终可能占其内存销售的60%至70%，进一步凸显AI需求的稳健程度。

花旗分析师上个月在报告中指出，尽管市场忧心终端需求可能放缓，但无论是DRAM或NAND的供应链库存，目前仍远低于历史平均水准。