台积携ASML 拚次世代制程 推动芯片制造升级至12吋光罩

艾司摩尔（ASML）与台积电7日宣布，将共同推动芯片制造转移升级至12吋光罩，要把最先进的高数值孔径极紫外光（High NA EUV）微影技术的价值发挥到极致，台积电规画，2031年之前创建12吋光罩试产线，2033年将微影系统全面就绪。

业界认为，台积电与艾司摩尔原本就是长期合作伙伴，随着半导体制程将迈入埃米世代、线宽愈来愈细，微影技术扮要角，两家公司扩大合作，台积电发展次世代先进制程将更顺遂，持续称霸全球晶圆代工产业。

BACUS国际光学工程学会（SPIE）先进微影技术研讨会7日于加州蒙特雷举办，台积电与艾司摩尔在会前公布这项重大合作案。

业界分析，High NA EUV设备总体单价高达约3.8亿至4.1亿美元，价格较第一代EUV设备翻倍，是史上最贵半导体设备，使用成本远高于现有EUV设备，预估最快2030年导入量产，将有助后续埃米级制程如A10等推进发展。

台积电指出，2030年起在先进制程量产中导入High NA EUV微影技术，制程技术持续推进，特别在AI应用带动晶体管架构日益复杂的趋势下，需要使用High NA EUV曝光的光罩层数将随之增加。

High NA EUV将自现行的6吋光罩，转移至更大的12吋光罩，将改变半导体制造关键零组件光罩的规格，能提高生产效率、降低成本，追上AI需求的成长速度。

台积电董事长魏哲家指出，台积电深信唯有产业携手解决复杂问题，才能开创单一企业无法独力实现的无限可能。期许通过持续创新来降低门槛，让先进解决方案得以大规模普及。

艾司摩尔是全球唯一能制造EUV曝光机的厂商，是生产全球最先进AI加速器等芯片不可或缺的工具。