中国最大的NAND闪存芯片制造商长江存储（YMTC），进军动态随机访问内存（DRAM），已开始建设第3家工厂，计划于2027年投产，同时正在提高第2座工厂的产能，希望利用境内本土化努力和人工智能热潮带来的激增需求。
日经亚洲报导，作为中国主要的NAND闪存芯片制造商，该公司稳步扩大市占，尽管主要业务仍集中在境内市场，但2年内很可能成为全球产能第5大、甚至第4大的生产商。
2名消息人士透露，长江存储正考虑拓展业务，生产动态随机访问内存（DRAM）芯片。DRAM芯片是构建高带宽内存（HBM）的基础，而HBM被广泛应用于人工智能数据中心。
DRAM和NAND闪存都是数据中心、电脑、智能手机和其它电子设备中不可或缺的组件。长期以来NAND 的生产一直由少数几家供应商主导，包括三星电子、铠侠、晟碟（SanDisk）、SK 海力士、美光以及 Solidigm。
在全球科技公司竞相获取关键零部件和内存芯片之际，长江存储的扩张计划也随之公布。人们担心，人工智能基础设施的大规模增长，可能会造成新的供应链限制。
研究公司Omdia估计，2025年长江存储的资本支出比全球同行更为积极，约占全球NAND闪存总投资的 20%，预计还将继续加速增长。
行业高管指出，如果扩建按计划在未来2年内完成，按产能计算，该扩张计划可说明，长江存储明年获得超过10%的全球市占，并超越美光、成为全球第4大厂商。2025年，长江存储的全球产能市占约为7%至8%。然而根据 Omdia的数据，就收入市占而言，截至2025年第2季，长江存储占全球总量的比率不足5%。
IT之家报导，武汉长存三期于9月5日成立，法定代表人为长江存储董事长陈南翔，注册资本人民币207.2亿，经营范围包括集成电路制造、销售、设计及产品销售等。这也是自2021年成立长存二期公司后，长江存储又一次大动作。股东资讯显示，该公司由长江存储、湖北长晟三期投资发展共同持股。
苹果已于2022年完成对长江存储 NAND 闪存产品的验证，为这家内存芯片制造商成长为全球顶级供应商铺平道路。然而，长江存储于2022年因安全问题被列入美国「实体清单」，严格的出口管制以及失去外国技术支持严重扰乱生产和技术开发。日经新闻报导，苹果随后迫于日益增大的地缘政治压力，放弃了长江存储的产品。
不过，长江存储在中国半导体设备制造商中微公司（AMEC）的支持下，在克服关键技术障碍，特别是在刻蚀工艺方面取得进展。这些突破使该公司能够在无法获得泛林集团（Lam Research）等美国领先设备的情况下继续推进生产。