南韩媒体报导，三星电子本月稍后开始量产全球首款第六代高带宽内存（HBM）HBM4，并计划在春节（17日）过后开始出货给Nvidia辉达（另称英伟达），用于Vera Rubin平台，成为全球首家量产HBM4的芯片制造商，试图夺回在人工智能（AI）内存领域的优势，并可能再为AI题材增添柴火。
综合韩联社、韩国前锋报及韩国时报报导，知情人士透露，三星已决定最快下周开始出货HBM4芯片给辉达，将是全球首批交付给客户的量产版HBM4芯片，「三星率先量产高性能HBM4芯片，展现其恢复技术竞争力」。辉达预料将在3月16-19日举行的2026年GTC大会上，发表搭载三星HBM4的Vera Rubin加速器。
三星则表示，将在与辉达的产品路线图及下游系统级测试计划进行协调后，再决定出货时间。目前是全球HBM市场主要是第五代的HBM3E芯片，但产业人士预期HBM4将成为关键技术。
这也象征三星的策略大反攻，并有望为韩股的AI题材增添柴火。朝鲜日报英文版网站报导，KOSPI、KOSDAQ和KONEX等三大指数6日的总市值达4799.36兆韩元，高于台股市值同日的新台币103.62兆元（3.27兆美元），市值也跃居全球第八大。
三星在HBM4所采用的技术方法为业界首见，结合了第六代10纳米DRAM（1c）制程与自家晶圆厂生产的4纳米逻辑晶粒制程。三星HBM4的数据传输速度高达11.7 Gbps（每秒10亿比特），远远超过JEDEC（固态技术协会）制定的8 Gbps标准，也较上一代HBM3E高出22%。
产业人士说，三星虽采用先进制程，但量产前的良率稳定，随着产能提升，良率预料还将进一步提高。三星也强调HBM4的电源效率，能在低能耗情况下使运算性能发挥到最大，有助于数据中心降低其耗电及冷却成本。
三星预期，今年HBM销量将比去年多出两倍以上，并决定在平泽4号厂增设生产线以扩大产能。产业人士说，这座工厂计划每月生产约10万-12万片晶圆，专门用于生产HBM4。
南韩产业预期，三星与SK海力士对于供应辉达HBM4芯片的竞争将更加剧烈，虽然三星试图通过性能优势抢占市场先机，但SK海力士可能以较稳定的良率获得更多订单。市场研究机构SemiAnalysis预估，SK海力士的HBM4市占率将约为70%，高于三星的30%。