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    速度提升1万倍 三星、Nvidia联手研发铁电NAND

    ahrefhttpswwwworldjournalcomwjreporterMDU3MzY季晶晶a由 没有评论0 查看
    三星与辉达传出联手加速开发第一代NAND。图为辉达首席执行官黄仁勋（中立者）2025年10月30日在首尔一家炸鸡餐厅与三星电子会长李在镕（右）及现代汽车集团运行会长郑义宣（后）共进晚餐时拍摄。(路透供图)
    三星与辉达传出联手加速开发第一代NAND。图为辉达首席执行官黄仁勋（中立者）2025年10月30日在首尔一家炸鸡餐厅与三星电子会长李在镕（右）及现代汽车集团运行会长郑义宣（后）共进晚餐时拍摄。(路透供图)
    三星与辉达传出联手加速开发第一代NAND。图为辉达首席执行官黄仁勋（中立者）2025年10月30日在首尔一家炸鸡餐厅与三星电子会长李在镕（右）及现代汽车集团运行会长郑义宣（后）共进晚餐时拍摄。(路透供图)

    首尔经济日报援引未具名业内人士消息报导，三星电子正与辉达(Nvidia)合作，加速开发下一代NAND闪存芯片。

    报导指出，由三星半导体研究院、辉达和乔治亚理工学院合组的联合研究团队，已成功开发出一种名为「物理资讯神经算子」的模型，能以比现有模型快逾10,000倍的速度分析铁电基NAND组件性能。相关研究成果已对外公布。

    基于上述成果，三星目前正与辉达合作推进铁电NAND闪存的开发与商业化应用。

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