彭博：DRAM供需紧俏格局不变 恐短缺到2030年

全球DRAM供应吃紧情势恐比市场预期更久。彭博资讯最新分析指出，只要全球云端大咖持续加码AI基建，DRAM供需紧俏格局至少延续至2027年，甚至拉长到2029年至2030年。

这意味这波内存多头已不只是传统景气循环反弹，而是AI带动产业供需结构出现根本性改变。

法人看好，台厂当中，南亚科、华邦电掌握DRAM产能优势，后市营运同步看旺。

彭博认为，三星、SK海力士、美光等国际内存大厂正优先将资源转向高带宽内存（HBM），进一步排挤一般型DRAM产能，主因HBM要生产与一般DRAM相同的内存容量，所需硅晶圆约为后者三至四倍，等于AI对HBM需求愈强，传统DRAM能取得的产能就愈少。

在上述情况之下，即使内存厂积极扩产，供给也难在短期内追上需求。彭博预估，若产能依目前规画成长，最快也要到2028年供给才有机会追上需求，一旦新厂进度落后，供给吃紧更可能延续更久。

背后最大推力仍是AI，业界点出，Google、亚马逊、微软、Meta、SpaceX及甲骨文等科技巨擘2027年资本支出预料持续扩张，AI服务器不仅大量消耗HBM，同步推升服务器DDR5及高容量DRAM需求。

台厂中，南亚科成为此波DRAM供需吃紧的优先受惠厂家。

南亚科认为，AI及一般服务器需求持续推升DRAM用量，在产能受限下，DDR5、LPDDR5、DDR4、LPDDR4乃至DDR3均面临供给吃紧；今年首季DRAM平均售价更季增逾七成，反映市场缺口迅速扩大。

面对中长线需求，南亚科进一步扩大5A新厂投资，2026年至2029年资本支出上限达3,466亿元，新厂预计2027年下半年开始投片，2028年月产能达3万片，2029年达3.59万片，预计导入1B、1C、1D、1E等先进10纳米级制程及EUV技术。

华邦电对市况看法更积极，总经理陈沛铭日前直言，2027年内存供需恐比2026年更吃紧，在AI相关需求强劲带动下，客户甚至已开始洽谈2029年、2030年长期供货。