日企首家 Resonac开发出12吋碳化硅基板是否投资量产看需求

文章摘要整理：

Resonac成为日本首家开发12吋碳化硅基板的业者，但因量产难度高与投资庞大，现阶段仍以8吋产能为主。

日媒报导，日本半导体材料大厂Resonac Holdings宣布，成功开发出日本首片300公厘、相当于12吋的碳化硅（SiC）单晶基板，为日企首例。

与目前主流6吋基板相比，12吋基板的面积约为四倍。如果未来成为主流，可望提升功率半导体的能源效率，并大幅降低量产成本。

随着数据中心用电需求增加，市场看好碳化硅晶圆的成长潜力。

研究机构富士经济预估，全球功率半导体晶圆市场到2035年将扩大至2025年的约三倍，碳化硅晶圆占比近七成。

尺寸变大提高制造难度。碳化硅晶体生长需要摄氏2,000度以上高温，材料容易产生缺陷，且晶锭硬度高，切割与抛光也更困难。

目前仍没有业者全面投入12吋基板的商业化生产。美国Wolfspeed与中国的天岳先进虽已开发出相关产品，但要实现量产效益，仍须投入大量设备资金，并创建能稳定供应低缺陷基板的体系。

Resonac现阶段将先强化8吋基板产能，一冉依客户需求评估是否投资12吋基板。

Q1：Resonac此次宣布成功开发了什么新产品？

Resonac宣布成功开发出日本首片300公厘、相当于12吋的碳化硅单晶基板，创下日企首例，显示日本在SiC基板技术上已有新突破。
Q2：12吋碳化硅基板相较6吋基板有哪些潜在优势？

12吋基板面积约为6吋的4倍，若未来成为主流，可望提升功率半导体的能源效率，并因单片产出更多而大幅降低量产成本。
Q3：为什么12吋SiC基板目前仍难以全面商业化量产？

SiC晶体生长需摄氏2,000度以上高温，容易产生缺陷，且材料硬度高，切割与抛光更难；要量产还需大量设备投资与稳定低缺陷供应体系。