长江存储员工称全球内存短缺至少还会持续3年，且美光、三星与SK海力士的新产能多集中在2028年前后，供给紧张短期难解。AI摘要
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中国NAND制造商长江存储（YMTC）一名员工透露，该公司预期全球内存供应短缺至少还将持续三年。另有报导指出，从全球三大内存制造商的新产能上线时程来看，2028年将是扩产的重要时点，但新产能是逐步提升，供应吃紧不会立即缓解。
长江存储一名不具名员工在美国在线媒体「连接中国」（The Wire China）的报导中表示，该公司已调高芯片价格，并将产能转向利润率较高的产品。
不过，这名员工原本的说法并非长江存储公开发布的正式展望。倘若内存短缺果真再持续三年，供应吃紧情况恐延续至2029年底左右。
美光（Micron）首席执行官梅罗塔日前也表示，2027年与2028年的内存供应都将更为吃紧。该说法显示，内存供应即便到了2028年也不见得能获得缓解，使产业添加产能开出的时程，日益成为焦点。
以美光为例，Schulz Research指出，该公司虽有一批新设施将于2027年激活，但之后将出现一段扩产空窗期，下一批主要添加产能多数要到2028年下半年才陆续开出，且产量达到一定规模仍需时间。
根据公司揭露数据，美光计划在2027年至2030年间，让七座主要内存设施投入营运，数量居全球三大内存业者之冠。
美光第一波新设施将于2027年陆续投入营运，包含年初激活的新加坡HBM先进封装厂，以及年中左右投产的爱达荷州ID1 DRAM晶圆厂和铜锣DRAM晶圆厂。
不过，美光下一批添加产能要到2028年下半年才会陆续上线，包括新加坡NAND晶圆厂、爱达荷州的ID2厂房，以及日本的DRAM扩产计划。专为极紫外光（EUV）微影技术打造的桃园Fab 11E晶圆厂，也预计在2028年投产，使2028年成为美光扩产的重要时点。
南韩SK海力士与三星电子目前则正推动在南韩新建多达17座前段制程内存晶圆厂，但下一波添加产能，多半也要到2028年起才会陆续开出。
该员工表示，全球内存供应短缺至少还会持续3年，且公司已调高芯片价格并把产能转向利润较高的产品。不过这并非长江存储正式对外发布的展望。 因为全球三大内存制造商的新产能多集中在2028年前后上线，但产能是逐步爬升，不会立刻形成大量供给，因此供应吃紧不会马上缓解。 美光在2027至2030年将有7座主要设施投产，2028年下半年还有多批新产能；三星与SK海力士虽积极建厂，但下一波添加产能多半也要到2028年起才陆续开出。精华 FAQ