Keybanc Capital Markets分析指出，英特尔的18A制程良率，已超越竞争对手三星，且有望在今年年底前量产。
科技网站Wccftech报导，英特尔的18A节点进入开发阶段后，进展迅速，良率已超越三星的2纳米制程（SF2）。虽仍落后于台积电的2纳米制程良率，但此进展表明，英特尔有望在今年年底前实现量产（HVM）。
据Keybanc Capital Markets的分析，英特尔18A制程目前良率已进展至55%，较上季的50%有所成长；相较之下，三星的SF2制程良率约为40%。台积电2纳米良率则为65%。
稳定上升的良率，对现阶段的英特尔至关重要，特别是18A主要搭载在Panther Lake（PTL）这样的自家产品。Keybanc指出，英特尔正按计划推进18A制程，用于新一代的笔电中央处理器（CPU）；其良率更估计在2025第4季前，达到70%。虽预期良率不会超越台积电，但对英特尔来说已然足矣。
虽然18A制程尚存在不确定性，但就公司内部产品使用而言，该制程已堪称成功。英特尔计划以18A在先进制程站稳脚跟，接着用14A来转向服务外部客户。此决策有助于让英特尔在市场上推出评价更佳的产品，并有机会与台积电的A14制程竞争。