日媒报导，内存芯片制造商铠侠（Kioxia）据传计划明年开始在岩手县的晶圆厂生产新一代的NAND闪存芯片，希望大幅提升长期数据保存容量，满足AI数据中心庞大的运算需求。
日经新闻报导，铠侠岩手厂将以所谓「第十代」技术量产。将堆栈内存层数从第八代的218层拉高到332层，每单位面积保存容量提升59%，数据传输速度提高33%，还能降低耗电。
外界原先推测，铠侠可能会在负责研发的三重县四日市的晶圆厂量产新芯片。但多位知情人士向日经透露，量产地点将改在岩手县北上市的晶圆厂。
铠侠并未规画扩建，而是使用园区内9月刚开始运转的晶圆二厂量产。据报导，铠侠采双轨策略路线：一方面推出高性能、但投资成本低的产品；另一方面则推出层数更多、容量更大的大型产品。