内存大缺货，报价大涨，全球掀起一波「内存抢料战」，业界分析，DRAM与保存型闪存（NAND Flash）报价上升周期将一路延续到2026年底，主因包括云端服务供应商（CSP）订单优于预期、高带宽内存（HBM）长期供不应求、以及原厂产能扩张有限、偏向制程升级而非大举扩产。
这阵子内存价格到底涨了多少？业界统计，过去一年以来，DRAM价格大涨了3.19倍、NAND芯片上涨1.93倍；如果把时间缩短至近半年，DRAM报价则上涨2.8倍、NAND也涨了1.64倍，即这半年来的涨幅相当于过去产业一个循环的高度。
业界指出，这一波内存价格暴涨不是景气循环反弹，而是结构性翻转，起因于供给端开始错位，三星、SK海力士、美光等三大内存制造商近两年把资本支出大量转往高带宽内存（HBM）与DDR5，为的是抢下云端服务商与AI服务器订单，结果造成旧有DRAM与NAND芯片产能不足，尤其AI训练与推论吃内存「如喝水」，主要云端服务商疯狂下单，直接挤压PC、手机、甚至一般服务器供货。
在NAND芯片端，研调机构报告显示，11月合约价全面暴涨，平均涨幅逾20％，高容量TLC产品更出现逾60％涨幅，主因原厂把产能优先留给企业级固态硬盘（SSD）与高毛利产品，压缩一般消费级与中低级容量供给，预期价格强势至少延续到2026年。
DRAM指针厂南亚科在这一波多头行情受惠大，11月营收首度站上百亿元大关、年增逾三倍，面对DDR4报价「从年初到现在翻了好几倍」的行情，南亚科陆续把部分产能拉回生产DDR4，支应紧急需求，公司估计，此波涨势到明年第2季后才有望收敛。
模块厂威刚董事长陈立白直言，这次内存缺货是「20年来最严峻的一次」，客户实际拿到的货量仅原本订单约三成，并强调这不是重复下单，而是「有钱也买不到货」。
他补充说明，目前现货价已一飞冲天，合约价上涨至少持续两到三季，明年上半年货都得「省着卖」，优先供应策略性客户。
群联首席执行官潘健成表示，此波NAND芯片报价涨势「前所未见」，主因在于原厂多年来对NAND芯片投资保守，加上AI推论（Inference）对保存需求爆发，导致供给极度吃紧。
他认为，企业为了让砸下重金建置的GPU产生收益，只能持续「用电力换出更多数据」，直接带动Flash用量倍增，这样的循环可能持续数年。