日本媒体读卖新闻引述知情人士报导，台积电已正式敲定在日本熊本县量产 3 纳米先进半导体的计划，这将是日本国内首度具备 3 纳米制程的生产能力。台积电高层预定今（5）日拜会首相官邸，亲自向日本首相高市早苗传达这项关键决策。
台积电原本规划在兴建中的「熊本2厂」生产 6 至 12 纳米芯片，但因应市场需求转强及日本政府的大力支持，决定直接导入目前最先进的 3 纳米制程。
报导说，台积电已将此计划通知日本政府。投资规模预计高达 170 亿美元。日本政府为强化国内半导体制造能力，并考量其对经济安全的贡献，也将对此计划给予支持。
报导说，政府消息来源指出，台积电高层预定今（5）日前往首相官邸，直接向首相高市早苗传达此消息。台积电原本计划在熊本县菊阳町兴建中的熊本二厂投资 122 亿美元，生产 6 至 12 纳米芯片。目前该公司正针对变更后的事业计划，与经济产业省进行进一步咨商。
日本推动先进半导体制程本土化的 Rapidus，计划从 2027 会计年度起在北海道量产 2 纳米半导体。日本政府认为，2 纳米与 3 纳米半导体的应用领域不同，两者与 Rapidus 之间不至于产生市场竞争。
日本政府先前已决定在 2024 年为熊本二厂提供最高 7,320 亿日圆的补助。报导说，政府认为，台积电这项最新计划对大幅强化日本半导体制造能力意义重大，将研议提供额外支持。