日本斥资8亿美元 将建3座半导体基地

日本政府将兴建三座具备人工智能（AI）半导体高端设计软件与开发工具的设施，这是东京当局打造国内半导体生产体系的一环，该体系将以台积电和Rapidus为内核。

日本媒体报导，日本经济产业省考虑2026年秋季在东京开设聚焦于芯片设计的首座设施，这座中心将专攻控制机器人和机械的物理AI等应用，并主打自动化设计工具、运算服务器和技术专家支持。

第二座中心将坐落在北海道千岁市，邻近本土芯片制造商Rapidus旗下制造工厂，预计2029年度激活。这座中心专职设备与原料，将拥有荷兰艾司摩尔公司（ASML）旗下最新极紫外光微影（EUV）设备。

日本也打算兴建化合物半导体测试中心，这类半导体与使用硅晶圆的传统芯片不同，使用含有多种元素的原料，以高速和低耗电量闻名，这座设施将具备能测试不同原料的工具。

日本政府计划斥资1306亿日圆（8.39亿美元）打造这些设施，产业技术综合研究所也会提供资金。东京当局目标是确保企业与研究机构，能以负担得起的费用使用这些中心。这些设施将以相对低的价格，开放给投入芯片设计、制造设备和半导体业原料领域企业及大学。

日本计划借由开发新半导体中心，培育可望成为台积电和Rapidus供应商的业者。如国内有能设计AI芯片的公司，这些业者可能成为把生产外包给Rapidus的珍贵客户。培养与尖端半导体制造兼容的设备和原料制造商，可使日本站在收复及扩张全球市占率的有利地位。

半导体技术最先进领域研发成本攀升，导致企业难以凭一己之力投资。设计支持工具等设备和一部下一代微影设备，都可能要价数千万美元，日本将负担部分成本以奠定民间部门创新根基。台积电和Rapidus已获得丰厚补贴，日本本土尖端半导体量产能力逐渐成形。

日本企业在AI半导体设计领域处于落后，该领域由Nvidia（辉达，又名英伟达）等美国企业主宰。即便在日本过去表现突出的制造设备和原料领域，市占率也不断被中国大陆竞争对手抢走。一些人把日本半导体业没落归咎於单打独斗的策略，与海外企业和研究机构合作，对日本新半导体中心而言至关重要。