三星电子发表新一代人工智能（AI）内存技术，力图强化该公司在AI市场中的芯片制造领先地位。
三星电子4日在加州圣塔克拉拉举行的内存与保存技术年度盛会FMS大会上，发表其V10 Bonding V-NAND（BV-NAND） 原型产品。该芯片采用超过400层堆栈，并导入全新的晶圆键合架构，以提高保存密度并提升表现。
随着AI工作负载已从大型语言模型（LLM）的训练，逐渐扩展至针对用户查找生成答案的推论阶段，高容量NAND内存的需求持续增加。NAND闪存主要用于保存数据，例如智能手机等设备中的照片、影片及应用程序。
三星表示，其BV-NAND技术相较于前一代V9 NAND，可将内存密度提升约58%，同时改善读取、写入及输入／输出性能，以满足AI系统对更大容量、且更具能源效率保存方案日益成长的需求。
三星同时展示了他们号称业界首创的zHBM与zNAND-O架构概念模型，展示其下一代3D内存的发展蓝图。这项技术通过垂直堆栈内存保存单元，可在相同空间里容纳更多数据。