南韩内存芯片大厂SK海力士预期，全球内存芯片短缺可能持续至2030年底，驳斥扩产后内存芯片供过于求的忧虑，因为在人工智能时代，内存芯片不再只是通用商品。
SK海力士正加快扩产，27日在印第安纳州为其美国首座高带宽内存（HBM）先进封装厂举行动土典礼，投资额提高至逾40亿美元，新厂的无尘室预计2028年下半年激活，2029年第3季量产下一代HBM4E，最终年产能上看数十万片晶圆。届时，南韩生产的先进晶圆将送往印第安纳州封装、测试，再供应给辉达、微软与Google等美国客户。
SK海力士首席执行官郭鲁正表示，AI客户需求依然强劲，即使下一波景气转折出现，也不太可能重演过去需求突然急冻的情况，需求可能缓步减少，甚至维持在高原期，不会像过去几轮循环般急转直下，关键在于AI正在改变内存产业的游戏规则。
他指出，过去内存芯片高度标准化，业者在景气好时竞相扩产，很容易从缺货迅速转为供过于求，但AI时代，HBM等产品针对客户的特定需求加强客制化，「商业模式已从100%通用商品，转向局部或完全客制化的产品」，需要与终端客户更紧密合作，也代表更容易预测市场需求。另一方面，SK海力士也准备深化日本布局。彭博报导，该公司正研究与日本客户及供应商共同开发NAND技术。铠侠（Kioxia）股权结构近期出现变化，为SK海力士持有股份的投资工具已成为铠侠最大股东，持股比14.19%。
精华 FAQ
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该公司认为AI客户需求依然强劲，HBM等产品已从标准化商品转向客制化，供需变化更可预测，因此不易重演过去那种突然急冻、迅速转为供过于求的循环。
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SK海力士在印第安纳州打造美国首座HBM先进封装厂，投资额提高至逾40亿美元，预计2028年下半年激活无尘室，并在2029年第3季量产下一代HBM4E。
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除了美国封装厂，SK海力士也准备深化日本布局，正研究与日本客户及供应商共同开发NAND技术；同时，与铠侠相关的投资工具已成为其最大股东。