韩国检方今天表示，包含前三星电子员工在内，有10人因涉嫌将三星的国家内核技术泄漏给中国内存芯片制造商长鑫存储而遭到起诉。
韩国「中央日报」报导，遭窃技术是由三星电子（Samsung Electronics）率先研发，外流后据信帮助长鑫存储（CXMT）成为中国首间及全球第4家量产10纳米级动态随机访问内存（DRAM）的公司，这对韩国经济造成的损失据估至少达数十兆韩元。
首尔中央地方检察官办公室指出，检方已起诉包括前三星电子员工在内的5人，他们被指控违反「不当竞争防止暨营业秘密保护法」和「防止产业技术外流暨产业技术保护法」，并遭到羁押。
另外5人也因相同罪名遭到起诉，不过未受羁押，其中部分人士为长鑫存储的研发团队成员。
长鑫存储在地方政府跟半导体设计公司合资下于2016年成立，是中国首间及唯一的DRAM半导体企业。根据韩国检方，长鑫存储创立后不久，便延揽一名前三星电子部门主管带领其首支研发团队。
在2016年9月左右，这名前三星电子部门主管及其他人据控通过另一名已跳槽至长鑫存储的前三星员工，取得三星18纳米DRAM制程技术；该技术被韩国列为国家内核技术与营业秘密。
这项技术当时是全球唯一的10纳米级DRAM制程，由三星投入5年时间研究、投资1兆6000亿韩元才研发而成。
韩国检方提到，长鑫存储无尘室技术人员2020年6月通过SK海力士公司（SK Hynix）其中一间承包商，也自SK海力士非法取得另一项国家内核DRAM制程技术。
长鑫存储取得三星电子与SK海力士的关键半导体技术后，最终于2023年成功量产10纳米级DRAM。
根据全球市占率变化，韩国检方估计三星电子的营收损失光去年可能就高达5兆韩元。
韩国检方谈到：「鉴于国内半导体产业占总体出口20.8%的规模，（DRAM关键技术外流）对国家经济造成的损失据估至少达数十兆韩元。」