艾司摩尔（ASML）已获全球主要芯片制造商承诺采用最新半导体制造设备，同时和客户展开更广泛合作，以因应人工智能（AI）技术快速发展带来的庞大需求。
三星电子和台积电分别计划从2028年和2030年起，将这家荷兰公司的高数值孔径极紫外光（High NA EUV）机台导入大量生产，加入英特尔采用这款单价高达4亿美元设备的行列。
这四家公司还同意推动一项艰深却极为重要的技术变革，也就是改变半导体制造关键零组件「光罩」（photomask）的规格。业界计划从目前标准的6吋光罩改用12吋光罩，希望提高生产效率、降低成本，以追上AI需求狂飙的脚步。
改用更大光罩长久以来一直被认为既复杂又昂贵，但业界如今携手推动，可望为芯片生产带来可观效益。ASML首席技术官皮特斯（Marco Pieters）表示，新技术可让High NA设备的产能提高40%，同时简化设计流程。
皮特斯接受彭博访问时说：「这是一个庞大机会，当然也代表生产效率将大幅提升。」
ASML是全球唯一能制造极紫外光（EUV）曝光机的公司，这种设备是生产全球最先进AI加速器等芯片不可或缺的工具。ASML在2019年推出低数值孔径（Low NA）EUV曝光机，此后一直和客户合作，推动更先进的High NA设备。
台积电原本对采用价格更高的High NA设备一直相当谨慎，认为生产效率带来的效益尚不足以抵销昂贵成本。台积电如今决定从2030年起导入High NA设备，初期仍采用目前的6吋光罩。根据周二发布的新闻稿，台积电和ASML计划在2031年前建置12吋光罩测试产线，目标2033年把12吋光罩和High NA设备正式导入量产。
台积电董事长暨总裁魏哲家在新闻稿中说：「台积电始终相信合作的力量，应在技术障碍演变成半导体产业的经济障碍之前，共同加以克服。」
三星除了是全球最大内存芯片制造商之一，也提供逻辑芯片代工服务，计划从2028年起把ASML的High NA设备用于内存生产。三星另发新闻稿说，将和产业伙伴密切合作，开发所需光罩技术和相关基础设施。
目前AI数据中心业者需求暴增，造成全球内存芯片短缺，也带动整个电子产业价格上涨。
英特尔为了转型为晶圆代工业者，已率先取得High NA设备。英特尔表示，目前已能向潜在客户提供这项技术带来的效益，而且三年多来一直参与推动改用更大尺寸光罩。
台积电如今转而积极采用最先进芯片制造设备，对ASML成长极其重要。彭博汇整数据显示，台积电约占ASML营收16%。随着三星和英特尔也加码采用，ASML三大客户如今都已支持这项转变。
皮特斯说：「这是High NA导入大量生产的一大进展。如今客户已经看见，和多重曝光技术相比，High NA设备能带来更大的效益。」
他表示，随着芯片制程迈向下一代，需要采用High NA技术的芯片层数预料将增加，因此客户也开始看到放大光罩尺寸的好处。
三星规划从2028年起将High NA机台用于内存生产，台积电则预计自2030年导入量产，初期仍先沿用现行6吋光罩，之后再推进到12吋光罩。 12吋光罩被视为能提升High NA设备产能约40%，并简化设计流程、降低单位成本。虽然导入难度高、投资昂贵，但可回应AI芯片需求快速成长。 ASML三大重要客户台积电、三星与英特尔都支持High NA与更大光罩，代表技术已接近大量生产门槛，也有助ASML扩大营收与巩固EUV设备垄断地位。精华 FAQ