南韩内存两大巨头三星、SK海力士上季获利同步创新高，29日同声看好内存需求将续强，预估供给吃紧的状况到2027年前恐怕都难以改善。
三星、SK海力士在全球DRAM与保存型闪存（NAND Flash）合计掌握超过五成市占，并且在AI用的高带宽内存（HBM）掌握半壁江山。法人指出，两大巨头同声看旺内存产业后市，南亚科、群联、华邦、威刚、创见、十铨等台湾内存相关业者也将受惠。
三星、SK海力士昨天都举办财报会议。展望内存市况，三星内存事业主管金在俊表示，今、明年扩产程度预料将受限，主因整个业界无尘室空间有限，加上AI相关需求强劲，预料将导致供应持续吃紧。
SK海力士DRAM行销主管朴俊德（音译）则说，内存市场正经历爆炸性的需求成长，以及AI基础设施投资持续扩张，但供应无法跟上需求，导致市场陷入「极度供需失衡」的状态。
SK海力士预估，今年DRAM需求将成长超过20%，NAND芯片需求增幅估达15%至19%。
因应需求爆炸性成长，该公司将在旗下M15X厂添加高带宽内存产能，传统DRAM和NAND芯片则加速改用更先进的技术生产。
业界分析，内存制造商纷纷调整生产线，转向生产利润丰厚的HBM。
由于生产相同容量的HBM所需晶圆产能约为标准型DRAM的三倍，三星与SK海力士加速调整生产线，等同长期压缩一般DRAM与利基型内存供给，造成消费性与工控市场报价同步走扬，这波由AI引爆的「产能排挤效应」，正是台厂重新取得定价权的重要转折。
台湾内存相关厂商也对后市正向看待。南亚科认为，AI相关需求推升高端DRAM投片比重，国际原厂转向HBM，使标准型DRAM供给趋紧，客户备货动能回温，有助报价结构改善。
华邦长期深耕利基型DRAM与编码型闪存（NOR Flash），近年积极布局车用、工控与物联网市场。
华邦预期，AI浪潮不仅带动数据中心建置潮，也加速边缘运算、智能设备升级，推升工控与车用对高可靠度内存需求。
法人分析，三星与SK海力士同声唱旺内存陋室，为全球内存产业定锚新一轮长循环，随HBM排挤效应持续发酵，标准型与利基型内存供不应求态势将延续，台湾DRAM厂在这波结构转变中，角色正由过去的价格承受者，逐步转为报价受益者。