三星电子率先向客户提供业界最先进的记忆芯片样本，在供应Nvidia辉达（另称英伟达）在内芯片设计商AI加速器的关键零组件的竞赛中，抢占先机。
三星电子表示，已开始将12层HBM4E送样给主要客户。三星电子2月也才启动HBM4量产，原本规画第二季送样，这里程碑凸显三星电子在高带宽内存（HBM）市场发展迅速。
三星表示，新芯片速度较上一代HBM4提升逾20%，采用最新的1c DRAM制程技术，即第六代10纳米级DRAM，搭配三星4纳米的逻辑基底芯片。
HBM芯片将动态随机访问内存（DRAM）多层垂直堆栈，既能大幅提升数据传输速度，也能降低功耗，如今已成为AI 处理器不可或缺的关键组件。
三星抢先布局12层HBM4，有助于强化对抗SK海力士等竞争对手的地位。